IXTE250N10参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXTE250N10概述

Trans MOSFET N-CH 100V 250A 3Pin3+Tab ISOPLUS 247

底座安装 N 通道 250A 730W SOT-227B

得捷:
MOSFET N-CH 100V 250A SOT227B

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 250A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247

IXTE250N10中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 -

漏源极电压Vds 100 V

额定功率Max 730 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 SOT-227-4

外形尺寸

封装 SOT-227-4

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTE250N10

型号： IXTE250N10

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans MOSFET N-CH 100V 250A 3Pin3+Tab ISOPLUS 247