IXFN23N100

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IXFN23N100概述

Trans MOSFET N-CH 1kV 24A 4Pin SOT-227B

N-Channel 1000V 23A Tc 600W Tc Chassis Mount SOT-227B


得捷:
MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B


贸泽:
MOSFET 23 Amps 1000V 0.43 Rds


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1KV 24A 4-Pin SOT-227B


IXFN23N100中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 568 W

漏源极电压Vds 1000 V

上升时间 35 ns

额定功率Max 595 W

下降时间 21 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 600W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-227-4

外形尺寸

长度 38.2 mm

宽度 25.07 mm

高度 9.6 mm

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFN23N100
型号: IXFN23N100
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans MOSFET N-CH 1kV 24A 4Pin SOT-227B
替代型号IXFN23N100
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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