IXTP1N100

IXTP1N100图片1
IXTP1N100图片2
IXTP1N100图片3
IXTP1N100图片4
IXTP1N100概述

TO-220AB N-CH 1000V 1.5A

Increase the current or voltage in your circuit with this power MOSFET from Ixys Corporation. Its maximum power dissipation is 54000 mW. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


得捷:
MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO220AB


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.5A 3-Pin3+Tab TO-220AB


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 1KV 1.5A 3-Pin3+Tab TO-220AB


IXTP1N100中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 54 W

漏源极电压Vds 1000 V

连续漏极电流Ids 1.5A

上升时间 19 ns

输入电容Ciss 400pF @25VVds

下降时间 18 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 54W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTP1N100
型号: IXTP1N100
制造商: IXYS Semiconductor
描述:TO-220AB N-CH 1000V 1.5A
替代型号IXTP1N100
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IXTP1N100

IXYS Semiconductor

当前型号

当前型号

IXTA1N100

IXYS Semiconductor

完全替代

IXTP1N100和IXTA1N100的区别

IXTP1R4N100P

IXYS Semiconductor

类似代替

IXTP1N100和IXTP1R4N100P的区别

IRFZ14PBF

威世

功能相似

IXTP1N100和IRFZ14PBF的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台