IXFX80N50P

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IXFX80N50P概述

IXFX80N50P 系列 500 V 65 mOhm N 沟道 增强模式 功率 MOSFET

N-Channel 500V 80A Tc 1040W Tc Through Hole PLUS247™-3


得捷:
MOSFET N-CH 500V 80A PLUS247-3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 80A 3-Pin3+Tab PLUS 247


IXFX80N50P中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 80.0 A

通道数 1

漏源极电阻 65.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 1040W Tc

输入电容 1.28 nF

栅电荷 197 nC

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

连续漏极电流Ids 80.0 A

输入电容Ciss 12700 pF

额定功率Max 1040 W

耗散功率Max 1040W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

宽度 5.21 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFX80N50P
型号: IXFX80N50P
制造商: IXYS Semiconductor
描述:IXFX80N50P 系列 500 V 65 mOhm N 沟道 增强模式 功率 MOSFET
替代型号IXFX80N50P
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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IXYS Semiconductor

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