IXFX80N50P 系列 500 V 65 mOhm N 沟道 增强模式 功率 MOSFET
N-Channel 500V 80A Tc 1040W Tc Through Hole PLUS247™-3
得捷:
MOSFET N-CH 500V 80A PLUS247-3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 80A 3-Pin3+Tab PLUS 247
额定电压DC 500 V
额定电流 80.0 A
通道数 1
漏源极电阻 65.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 1040W Tc
输入电容 1.28 nF
栅电荷 197 nC
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
输入电容Ciss 12700 pF
额定功率Max 1040 W
耗散功率Max 1040W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
宽度 5.21 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IXFX80N50P IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
IXFK80N50P IXYS Semiconductor | 功能相似 | IXFX80N50P和IXFK80N50P的区别 |