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IXTT10P50图片1

IXTT10P50概述

Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3Pin2+Tab TO-268

P-Channel 500V 10A Tc Surface Mount TO-268

得捷:
MOSFET P-CH 500V 10A TO268

贸泽:
MOSFET -10 Amps -500V 0.9 Rds

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin2+Tab TO-268

IXTT10P50中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 300 W

漏源极电压Vds 500 V

上升时间 27 ns

输入电容Ciss 4700pF @25VVds

下降时间 35 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-268-3

外形尺寸

封装 TO-268-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTT10P50

型号： IXTT10P50

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3Pin2+Tab TO-268