IXFP130N10T参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXFP130N10T概述

TO-220 N-CH 100V 130A

N-Channel 100V 130A Tc 360W Tc Through Hole TO-220AB

得捷:
MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB

贸泽:
MOSFET 130 Amps 100V

Win Source:
MOSFET N-CH 100V 130A TO-220

IXFP130N10T中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 9.1 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 360W Tc

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

连续漏极电流Ids 130A

输入电容Ciss 5080pF @25VVds

耗散功率Max 360W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFP130N10T

型号： IXFP130N10T

制造商： IXYS Semiconductor

描述：TO-220 N-CH 100V 130A

替代型号IXFP130N10T