IXTP7N60PM概述
TO-220 N-CH 600V 4A
N-Channel 600V 4A Tc 41W Tc Through Hole TO-220AB
得捷:
MOSFET N-CH 600V 4A TO220AB
贸泽:
MOSFET 7 Amps 600V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin3+Tab TO-220
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 4A TO-220
IXTP7N60PM中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 41 W
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 4A
上升时间 27 ns
输入电容Ciss 1180pF @25VVds
下降时间 26 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 41W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.36 mm
宽度 4.9 mm
高度 9.19 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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