IXTQ96N25T

IXTQ96N25T图片1
IXTQ96N25T概述

TO-3P N-CH 250V 96A

N-Channel 250V 96A Tc 625W Tc Through Hole TO-3P


得捷:
MOSFET N-CH 250V 96A TO3P


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 250V 96A 3-Pin3+Tab TO-3P


Win Source:
MOSFET N-CH 250V 96A TO-3P


IXTQ96N25T中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 625W Tc

漏源极电压Vds 250 V

连续漏极电流Ids 96A

输入电容Ciss 6100pF @25VVds

耗散功率Max 625W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTQ96N25T
型号: IXTQ96N25T
制造商: IXYS Semiconductor
描述:TO-3P N-CH 250V 96A
替代型号IXTQ96N25T
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