IXTP52P10P

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IXTP52P10P概述

P沟道 100V 52A

P-Channel 100V 52A Tc 300W Tc Through Hole TO-220AB


得捷:
MOSFET P-CH 100V 52A TO220AB


立创商城:
P沟道 100V 52A


艾睿:
Create an effective common drain amplifier using this IXTP52P10P power MOSFET from Ixys Corporation. Its maximum power dissipation is 300000 mW. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


Verical:
Trans MOSFET P-CH 100V 52A 3-Pin3+Tab TO-220


IXTP52P10P中文资料参数规格
技术参数

极性 P-CH

耗散功率 300 W

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 52A

上升时间 29 ns

输入电容Ciss 2845pF @25VVds

额定功率Max 300 W

下降时间 22 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTP52P10P
型号: IXTP52P10P
制造商: IXYS Semiconductor
描述:P沟道 100V 52A
替代型号IXTP52P10P
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IXTP52P10P和IXTQ52P10P的区别

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