IXFT6N100Q

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IXFT6N100Q概述

TO-268 N-CH 1000V 6A

Increase the current or voltage in your circuit with this power MOSFET from Ixys Corporation. Its maximum power dissipation is 180000 mW. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This device is made with hiperfet technology.


得捷:
MOSFET N-CH 1000V 6A TO268


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1KV 6A 3-Pin2+Tab TO-268


IXFT6N100Q中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 180000 mW

漏源极电压Vds 1000 V

连续漏极电流Ids 6A

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 2200pF @25VVds

额定功率Max 180 W

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 180W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-268-3

外形尺寸

封装 TO-268-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IXFT6N100Q
型号: IXFT6N100Q
制造商: IXYS Semiconductor
描述:TO-268 N-CH 1000V 6A

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