IXFA6N120P

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IXFA6N120P概述

TO-263AA N-CH 1200V 6A

表面贴装型 N 通道 1200 V 6A(Tc) 250W(Tc) TO-263AA


得捷:
MOSFET N-CH 1200V 6A TO263


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin2+Tab TO-263AA


富昌:
Single N-Channel 1200 V 250 W 92 nC Surface Mount Power Mosfet - TO-263


IXFA6N120P中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 250W Tc

漏源极电压Vds 1200 V

连续漏极电流Ids 6A

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 2830pF @25VVds

下降时间 14 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFA6N120P
型号: IXFA6N120P
制造商: IXYS Semiconductor
描述:TO-263AA N-CH 1200V 6A
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