IXFX360N15T2

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IXFX360N15T2概述

N沟道 150V 360A

N-Channel 150V 360A Tc 1670W Tc Through Hole PLUS247™-3


立创商城:
N沟道 150V 360A


得捷:
MOSFET N-CH 150V 360A PLUS247-3


贸泽:
MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET


艾睿:
In addition to amplifying electronic signals, you&s;ll be able to switch between various lines with the IXFX360N15T2 power MOSFET, developed by Ixys Corporation. Its maximum power dissipation is 1670000 mW. This device utilizes gigamos technology. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


Verical:
Trans MOSFET N-CH 150V 360A 3-Pin3+Tab PLUS 247


DeviceMart:
MOSFET N-CH 150V 360A PLUS247


IXFX360N15T2中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 1670 W

漏源极电压Vds 150 V

连续漏极电流Ids 360A

上升时间 170 ns

输入电容Ciss 47500pF @25VVds

下降时间 265 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1670W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFX360N15T2
型号: IXFX360N15T2
制造商: IXYS Semiconductor
描述:N沟道 150V 360A
替代型号IXFX360N15T2
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IXYS Semiconductor

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