N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 HiPerFET™### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列
IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 HiPerFET™
欧时:
### N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 HiPerFET™### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
得捷:
MOSFET N-CH 600V 40A SOT227B
立创商城:
N沟道 600V 40A
艾睿:
This IXFN48N60P power MOSFET from Ixys Corporation can be used for amplification in your circuit. Its maximum power dissipation is 625000 mW. This device is made with hiperfet technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 40A 4-Pin SOT-227B
Newark:
# IXYS SEMICONDUCTOR IXFN48N60P MOSFET MODULE, N-CH, 600V, 40A, SOT-227B New
Online Components:
Trans MOSFET N-CH 600V 40A 4-Pin SOT-227B
额定电压DC 600 V
额定电流 48.0 A
通道数 1
漏源极电阻 0.14 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 625 W
阈值电压 5.5 V
输入电容 8.86 nF
栅电荷 150 nC
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 40.0 A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 8860pF @25VVds
额定功率Max 625 W
下降时间 22 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625000 mW
安装方式 Screw
引脚数 4
封装 SOT-227-4
长度 38.23 mm
宽度 25.42 mm
高度 9.6 mm
封装 SOT-227-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 医用
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2016/06/20