N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 HiPerFET™ ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列
IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 HiPerFET™
得捷:
MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
欧时:
### N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 HiPerFET™![http://china.rs-online.com/largeimages/LBIPOLAR-09.gif]http://china.rs-online.com/largeimages/LBIPOLAR-09.gif ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 500 V, 0.5 ohm, 10 V, 5.5 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin3+Tab TO-220
Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin3+Tab TO-220AB
Newark:
# IXYS SEMICONDUCTOR IXFP12N50P MOSFET, N-CH, 500V, 12A, TO-220 New
Win Source:
MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB / N-Channel 500 V 12A Tc 200W Tc Through Hole TO-220-3
额定电压DC 500 V
额定电流 12.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.5 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 200 W
阈值电压 5.5 V
输入电容 1.69 nF
栅电荷 29.0 nC
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 12.0 A
输入电容Ciss 1830pF @25VVds
额定功率Max 200 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.66 mm
宽度 4.83 mm
高度 9.15 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2016/06/20
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IXFP12N50P IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
IXTP12N50P IXYS Semiconductor | 完全替代 | IXFP12N50P和IXTP12N50P的区别 |
IXTI12N50P IXYS Semiconductor | 完全替代 | IXFP12N50P和IXTI12N50P的区别 |
IXFA12N50P IXYS Semiconductor | 类似代替 | IXFP12N50P和IXFA12N50P的区别 |