IXTK120P20T

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IXTK120P20T概述

TO-264AA P-CH 200V 120A

通孔 P 通道 200 V 120A(Tc) - TO-264(IXTK)


得捷:
MOSFET P-CH 200V 120A TO264


贸泽:
MOSFET TrenchP Power MOSFET


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 200V 120A 3-Pin3+Tab TO-264AA


Verical:
Trans MOSFET P-CH 200V 120A 3-Pin3+Tab TO-264AA


IXTK120P20T中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 30 mΩ

极性 P-CH

耗散功率 1.04 kW

阈值电压 4.5 V

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

连续漏极电流Ids 120A

上升时间 85 ns

输入电容Ciss 73000pF @25VVds

下降时间 50 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 1040000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-264-3

外形尺寸

长度 20.29 mm

宽度 5.31 mm

高度 26.59 mm

封装 TO-264-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTK120P20T
型号: IXTK120P20T
制造商: IXYS Semiconductor
描述:TO-264AA P-CH 200V 120A
替代型号IXTK120P20T
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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IXYS Semiconductor

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