N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用,可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装,包括隔离类型,带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流-直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS(接通)和 QG(栅极电荷) 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Q3 系列
HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用,可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装,包括隔离类型,带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流-直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。
快速本质整流器二极管
低 RDS(接通)和 QG(栅极电荷)
低本质栅极电阻
工业标准封装
低封装电感
高功率密度
得捷:
MOSFET N-CH 500V 50A TO247AD
立创商城:
N沟道 500V 50A
欧时:
IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFH50N50P3, 50 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 500 V, 0.125 ohm, 10 V, 5 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 50A 3-Pin3+Tab TO-247AD
Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 50A 3-Pin3+Tab TO-247AD
Newark:
# IXYS SEMICONDUCTOR IXFH50N50P3 MOSFET, N-CH, 500V, 50A, TO-247 New
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.125 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 960 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 50A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 4335pF @25VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 960W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
高度 21.46 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2016/06/20