IXFH50N50P3

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IXFH50N50P3概述

N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用,可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装,包括隔离类型,带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流-直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS(接通)和 QG(栅极电荷) 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Q3 系列

HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用,可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装,包括隔离类型,带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流-直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。

快速本质整流器二极管

低 RDS(接通)和 QG(栅极电荷)

低本质栅极电阻

工业标准封装

低封装电感

高功率密度


得捷:
MOSFET N-CH 500V 50A TO247AD


立创商城:
N沟道 500V 50A


欧时:
IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFH50N50P3, 50 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 500 V, 0.125 ohm, 10 V, 5 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 50A 3-Pin3+Tab TO-247AD


Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 50A 3-Pin3+Tab TO-247AD


Newark:
# IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH50N50P3  MOSFET, N-CH, 500V, 50A, TO-247 New


IXFH50N50P3中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.125 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 960 W

阈值电压 5 V

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 50A

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 4335pF @25VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 960W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.26 mm

宽度 5.3 mm

高度 21.46 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2016/06/20

数据手册

在线购买IXFH50N50P3
型号: IXFH50N50P3
制造商: IXYS Semiconductor
描述:N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Q3 系列 HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用,可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装,包括隔离类型,带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流-直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。 快速本质整流器二极管 低 RDS(接通)和 QG(栅极电荷) 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管,IXYS IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

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