N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用,可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装,包括隔离类型,带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流-直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS(接通)和 QG(栅极电荷) 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Q3 系列
HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用,可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装,包括隔离类型,带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流-直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。
快速本质整流器二极管
低 RDS(接通)和 QG(栅极电荷)
低本质栅极电阻
工业标准封装
低封装电感
高功率密度
得捷:
MOSFET N-CH 500V 82A SOT227B
欧时:
MOSFET N-Ch 500V 82A Q3 HiPerFET SOT227B
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 82A 4-Pin SOT-227B
通道数 1
极性 N-CH
耗散功率 960W Tc
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 82A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 13800pF @25VVds
下降时间 15 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 960W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-227-4
长度 38.23 mm
宽度 25.07 mm
高度 9.6 mm
封装 SOT-227-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
IXFN100N50Q3 IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
IXFN100N50P IXYS Semiconductor | 类似代替 | IXFN100N50Q3和IXFN100N50P的区别 |
VMO80-05P1 IXYS Semiconductor | 功能相似 | IXFN100N50Q3和VMO80-05P1的区别 |