TO-3P N-CH 250V 42A
N-Channel 250V 42A Tc 300W Tc Through Hole TO-3P
得捷:
MOSFET N-CH 250V 42A TO3P
贸泽:
MOSFET 42 Amps 250V 0.084 Rds
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 250V 42A 3-Pin3+Tab TO-3P
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 42A; 300W; TO3P
Win Source:
MOSFET N-CH 250V 42A TO-3P
通道数 1
漏源极电阻 84 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 300 W
阈值电压 5.5 V
漏源极电压Vds 250 V
漏源击穿电压 250 V
连续漏极电流Ids 42A
上升时间 28 ns
输入电容Ciss 2300pF @25VVds
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-3-3
长度 15.8 mm
宽度 4.9 mm
高度 20.3 mm
封装 TO-3-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IXTQ42N25P IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
IXTP42N25P IXYS Semiconductor | 功能相似 | IXTQ42N25P和IXTP42N25P的区别 |
IXTA42N25P IXYS Semiconductor | 功能相似 | IXTQ42N25P和IXTA42N25P的区别 |