IXFK80N20Q

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IXFK80N20Q概述

TO-264AA N-CH 200V 80A

N-Channel 200V 80A Tc 360W Tc Through Hole TO-264AA IXFK


得捷:
MOSFET N-CH 200V 80A TO264AA


贸泽:
MOSFET 80 Amps 200V 0.03 Rds


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 80A 3-Pin3+Tab TO-264AA


IXFK80N20Q中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 28 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 360 W

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

连续漏极电流Ids 80A

上升时间 50 ns

输入电容Ciss 4600pF @25VVds

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 360W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-264-3

外形尺寸

长度 19.96 mm

宽度 5.13 mm

高度 26.16 mm

封装 TO-264-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFK80N20Q
型号: IXFK80N20Q
制造商: IXYS Semiconductor
描述:TO-264AA N-CH 200V 80A

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