IXTX110N20L2

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IXTX110N20L2概述

N沟道 200V 110A

N-Channel 200V 110A Tc 960W Tc Through Hole PLUS247™-3


得捷:
MOSFET N-CH 200V 110A PLUS247-3


立创商城:
N沟道 200V 110A


艾睿:
Amplify electronic signals and switch between them with the help of Ixys Corporation&s;s IXTX110N20L2 power MOSFET. Its maximum power dissipation is 960000 mW. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


Verical:
Trans MOSFET N-CH 200V 110A 3-Pin3+Tab PLUS 247


IXTX110N20L2中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 960 W

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 110A

上升时间 100 ns

输入电容Ciss 23000pF @25VVds

下降时间 135 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 960W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTX110N20L2
型号: IXTX110N20L2
制造商: IXYS Semiconductor
描述:N沟道 200V 110A
替代型号IXTX110N20L2
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IXTX110N20L2和IXTK110N20L2的区别

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