IXTT24P20

IXTT24P20图片1
IXTT24P20概述

TO-268P-CH 200V 24A

P-Channel 200V 24A Tc Surface Mount TO-268


得捷:
MOSFET P-CH 200V 24A TO268


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 200V 24A 3-Pin2+Tab TO-268


IXTT24P20中文资料参数规格
技术参数

极性 P-CH

耗散功率 300W Tc

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 24A

上升时间 29 ns

输入电容Ciss 4200pF @25VVds

下降时间 28 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-268-3

外形尺寸

封装 TO-268-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTT24P20
型号: IXTT24P20
制造商: IXYS Semiconductor
描述:TO-268P-CH 200V 24A
替代型号IXTT24P20
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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