IXTH20N50D

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IXTH20N50D概述

TO-247AD N-CH 500V 20A

N-Channel 500V 20A Tc 400W Tc Through Hole TO-247 IXTH


得捷:
MOSFET N-CH 500V 20A TO247


IXTH20N50D中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

极性 N-CH

耗散功率 400 W

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 20A

输入电容Ciss 2500pF @25VVds

额定功率Max 400 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 400W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

宽度 5.3 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

IXTH20N50D引脚图与封装图
IXTH20N50D引脚图
IXTH20N50D封装焊盘图
在线购买IXTH20N50D
型号: IXTH20N50D
制造商: IXYS Semiconductor
描述:TO-247AD N-CH 500V 20A
替代型号IXTH20N50D
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IXTH20N50D

IXYS Semiconductor

当前型号

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IXTT20N50D

IXYS Semiconductor

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IXTH20N50D和IXTT20N50D的区别

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