IXTX102N65X2参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXTX102N65X2概述

PLUS N-CH 650V 102A

通孔 N 通道 650 V 102A（Tc） 1040W（Tc） PLUS247™-3

得捷:
MOSFET N-CH 650V 102A PLUS247-3

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 102A 3-Pin3+Tab PLUS 247

IXTX102N65X2中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 1040000 mW

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 102A

上升时间 28 ns

输入电容Ciss 10900pF @25VVds

下降时间 11 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1040W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

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型号： IXTX102N65X2

制造商： IXYS Semiconductor

描述：PLUS N-CH 650V 102A