IXTP110N055T2

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IXTP110N055T2概述

TO-220 N-CH 55V 110A

通孔 N 通道 110A(Tc) 180W(Tc) TO-220AB


得捷:
MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB


贸泽:
MOSFET 110 Amps 55V 0.0066 Rds


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 110A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220


Win Source:
MOSFET N-CH 55V 110A TO-220


IXTP110N055T2中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 180 W

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 110A

上升时间 25 ns

输入电容Ciss 3060pF @25VVds

额定功率Max 180 W

下降时间 23 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 180W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.66 mm

宽度 4.83 mm

高度 9.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTP110N055T2
型号: IXTP110N055T2
制造商: IXYS Semiconductor
描述:TO-220 N-CH 55V 110A

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