N 通道功率 MOSFET,IXYS X2 系列与功率 MOSFET 早期系列相比,IXYS X2 类功率 MOSFET 系列可显著减小电阻和栅极电荷,从而降低损耗并提高操作效率。 这些坚固的设备包含本征二极管,适用于硬切换和谐振模式应用。 X2 类功率 MOSFET 提供各种工业标准封装,包括隔离类型,具有高达 120A(650V 时)额定值。 典型应用包括:直流-直流转换器、交流和直流电动机驱动器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波、太阳能逆变器、温度和照明控制。极低 RDS(接通)和 QG(栅极电荷) 本质整流器二极管 低本质栅极电阻 低封装电感 工业标准封装 ### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
N 通道功率 MOSFET,IXYS X2 类系列
与功率 MOSFET 早期系列相比,IXYS X2 类功率 MOSFET 系列可显著减小电阻和栅极电荷,从而降低损耗并提高操作效率。 这些坚固的设备包含本征二极管,适用于硬切换和谐振模式应用。 X2 类功率 MOSFET 提供各种工业标准封装,包括隔离类型,具有高达 120A(650V 时)额定值。 典型应用包括:直流-直流转换器、交流和直流电动机驱动器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波、太阳能逆变器、温度和照明控制。
极低 RDS(接通)和 QG(栅极电荷)
本质整流器二极管
低本质栅极电阻
低封装电感
工业标准封装
得捷:
MOSFET N-CH 650V 102A TO264
欧时:
N-ch X2 Series MOSFET 650V 102A TO-264P
立创商城:
N沟道 650V 102A
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, X2-Class, N沟道, 650 V, 102 A, 0.03 ohm, TO-264P, 通孔
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 102A 3-Pin3+Tab TO-264
Newark:
# IXYS SEMICONDUCTOR IXTK102N65X2 MOSFET, N-CH, 650V, 102A, TO-264P New
针脚数 3
漏源极电阻 0.03 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.04 kW
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 102A
上升时间 28 ns
输入电容Ciss 10900pF @25VVds
下降时间 11 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1040W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-264-3
长度 20.3 mm
宽度 26.3 mm
高度 5.3 mm
封装 TO-264-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC版本 2016/06/20