N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列
HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。
快速本质整流器二极管
低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷）
低本质栅极电阻
工业标准封装
低封装电感
高功率密度
### MOSFET ，IXYS
IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
得捷:
MOSFET N-CH 800V 37A SOT227B
欧时:
MOSFET N-Ch 800V 37A Q3 HiPerFET SOT227B
立创商城:
N沟道 800V 37A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 37A 4-Pin SOT-227B
通道数 1
极性 N-CH
耗散功率 780W Tc
漏源极电压Vds 800 V
连续漏极电流Ids 37A
上升时间 60 ns
输入电容Ciss 9840pF @25VVds
额定功率Max 780 W
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 780W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-227-4
长度 38.23 mm
宽度 25.07 mm
高度 9.6 mm
封装 SOT-227-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free