IXTN110N20L2参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXTN110N20L2概述

N沟道 200V 100A

N-Channel 200V 100A Tc 735W Tc Chassis Mount SOT-227B

立创商城:
N沟道 200V 100A

得捷:
MOSFET N-CH 200V 100A SOT227B

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 100A 4-Pin SOT-227B

IXTN110N20L2中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 735W Tc

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 100A

输入电容Ciss 23000pF @25VVds

耗散功率Max 735W Tc

封装参数

安装方式 Chassis

封装 SOT-227-4

外形尺寸

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTN110N20L2

型号： IXTN110N20L2

制造商： IXYS Semiconductor

描述：N沟道 200V 100A