IXTN550N055T2

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IXTN550N055T2概述

SOT-227B N-CH 55V 550A

N-Channel 55V 550A Tc 940W Tc Chassis Mount SOT-227B


得捷:
MOSFET N-CH 55V 550A SOT227B


贸泽:
MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 550A Automotive 4-Pin SOT-227B


IXTN550N055T2中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 940 W

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 550A

上升时间 40 ns

输入电容Ciss 40000pF @25VVds

下降时间 230 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 940W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-227-4

外形尺寸

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTN550N055T2
型号: IXTN550N055T2
制造商: IXYS Semiconductor
描述:SOT-227B N-CH 55V 550A
替代型号IXTN550N055T2
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