IXTA8N50P

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IXTA8N50P概述

IXTA8N50P 管装

N-Channel 500V 8A Tc 150W Tc Surface Mount TO-263 IXTA


得捷:
MOSFET N-CH 500V 8A TO263


立创商城:
N沟道 500V 8A


艾睿:
Amplify electronic signals and switch between them with the help of Ixys Corporation&s;s IXTA8N50P power MOSFET. Its maximum power dissipation is 150000 mW. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


富昌:
N-Channel 500 V 8 A 800 mΩ Surface Mount PolarHV Power Mosfet - TO-263


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin2+Tab TO-263


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; 150W; TO263


Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin2+Tab D2PAK


DeviceMart:
MOSFET N-CH 500V 8A D2-PAK


IXTA8N50P中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 8.00 A

耗散功率 150 W

栅电荷 20.0 nC

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 8.00 A

上升时间 28 ns

输入电容Ciss 1050 pF

下降时间 23 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTA8N50P
型号: IXTA8N50P
制造商: IXYS Semiconductor
描述:IXTA8N50P 管装
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