IXFP4N100P参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXFP4N100P概述

TO-220AB N-CH 1000V 4A

N-Channel 1000V 4A Tc 150W Tc Through Hole TO-220AB

得捷:
MOSFET N-CH 1000V 4A TO220AB

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1KV 4A 3-Pin3+Tab TO-220AB

IXFP4N100P中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 150W Tc

漏源极电压Vds 1000 V

连续漏极电流Ids 4A

上升时间 36 ns

输入电容Ciss 1456pF @25VVds

额定功率Max 150 W

下降时间 50 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFP4N100P

型号： IXFP4N100P

制造商： IXYS Semiconductor

描述：TO-220AB N-CH 1000V 4A

替代型号IXFP4N100P