IXTP32N20T

IXTP32N20T图片1
IXTP32N20T图片2
IXTP32N20T图片3
IXTP32N20T概述

TO-220 N-CH 200V 32A

N-Channel 200V 32A Tc 200W Tc Through Hole TO-220AB


得捷:
MOSFET N-CH 200V 32A TO220AB


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 32A 3-Pin3+Tab TO-220


Win Source:
MOSFET N-CH 200V 32A TO-220


IXTP32N20T中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 200W Tc

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 32A

上升时间 18 ns

输入电容Ciss 1760pF @25VVds

额定功率Max 200 W

下降时间 31 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTP32N20T
型号: IXTP32N20T
制造商: IXYS Semiconductor
描述:TO-220 N-CH 200V 32A
替代型号IXTP32N20T
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IXTP32N20T

IXYS Semiconductor

当前型号

当前型号

IXTA32N20T

IXYS Semiconductor

类似代替

IXTP32N20T和IXTA32N20T的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台