IXTN120P20T

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IXTN120P20T概述

P-CH 200V 106A

底座安装 P 通道 200 V 106A(Tc) 830W(Tc) SOT-227B


得捷:
MOSFET P-CH 200V 106A SOT227B


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 200V 106A 4-Pin SOT-227B


TME:
Module; single transistor; Uds: -200V; Id: -106A; SOT227B; 830W


Verical:
Trans MOSFET P-CH 200V 106A 4-Pin SOT-227B


IXTN120P20T中文资料参数规格
技术参数

极性 P-CH

耗散功率 830 W

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 106A

上升时间 85 ns

输入电容Ciss 73000pF @25VVds

下降时间 50 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 830W Tc

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 4

封装 SOT-227-4

外形尺寸

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTN120P20T
型号: IXTN120P20T
制造商: IXYS Semiconductor
描述:P-CH 200V 106A

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