N 通道功率 MOSFET,IXYS X2 系列与功率 MOSFET 早期系列相比,IXYS X2 类功率 MOSFET 系列可显著减小电阻和栅极电荷,从而降低损耗并提高操作效率。 这些坚固的设备包含本征二极管,适用于硬切换和谐振模式应用。 X2 类功率 MOSFET 提供各种工业标准封装,包括隔离类型,具有高达 120A(650V 时)额定值。 典型应用包括:直流-直流转换器、交流和直流电动机驱动器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波、太阳能逆变器、温度和照明控制。极低 RDS(接通)和 QG(栅极电荷) 本质整流器二极管 低本质栅极电阻 低封装电感 工业标准封装 ### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
N 通道功率 MOSFET,IXYS X2 类系列
与功率 MOSFET 早期系列相比,IXYS X2 类功率 MOSFET 系列可显著减小电阻和栅极电荷,从而降低损耗并提高操作效率。 这些坚固的设备包含本征二极管,适用于硬切换和谐振模式应用。 X2 类功率 MOSFET 提供各种工业标准封装,包括隔离类型,具有高达 120A(650V 时)额定值。 典型应用包括:直流-直流转换器、交流和直流电动机驱动器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波、太阳能逆变器、温度和照明控制。
极低 RDS(接通)和 QG(栅极电荷)
本质整流器二极管
低本质栅极电阻
低封装电感
工业标准封装
### MOSFET ,IXYS
IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
立创商城:
IXTK120N65X2
欧时:
N-ch X2 Series MOSFET 650V 120A TO-264P
得捷:
MOSFET N-CH 650V 120A TO264
e络盟:
晶体管, MOSFET, X2-Class, N沟道, 120 A, 650 V, 0.023 ohm, 10 V, 5 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 120A 3-Pin3+Tab TO-264
Newark:
# IXYS SEMICONDUCTOR IXTK120N65X2 MOSFET, N-CH, 650V, 120A, TO-264P New
针脚数 3
漏源极电阻 0.023 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.25 kW
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 120A
上升时间 24 ns
输入电容Ciss 13600pF @25VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1250W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-264-3
长度 20.3 mm
宽度 26.3 mm
高度 5.3 mm
封装 TO-264-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC版本 2016/06/20