IXTP70N075T2

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IXTP70N075T2概述

N沟道 75V 70A

N-Channel 75 V 70A Tc 150W Tc Through Hole TO-220-3


得捷:
MOSFET N-CH 75V 70A TO220AB


立创商城:
N沟道 75V 70A


贸泽:
MOSFET 70 Amps 75V 0.0120 Rds


IXTP70N075T2中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 12 mΩ

耗散功率 150 W

漏源极电压Vds 75 V

漏源击穿电压 75 V

上升时间 28 ns

输入电容Ciss 2725pF @25VVds

下降时间 22 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 150W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.66 mm

宽度 4.83 mm

高度 9.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTP70N075T2
型号: IXTP70N075T2
制造商: IXYS Semiconductor
描述:N沟道 75V 70A
替代型号IXTP70N075T2
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