IXTA160N10T参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXTA160N10T概述

MOSFET N-CH 100V 160A TO-263

N-Channel 100V 160A Tc 430W Tc Surface Mount TO-263 IXTA

得捷:
MOSFET N-CH 100V 160A TO263

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 160A 3-Pin2+Tab D2PAK

DeviceMart:
MOSFET N-CH 100V 160A TO-263

IXTA160N10T中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 430W Tc

漏源极电压Vds 100 V

输入电容Ciss 6600pF @25VVds

耗散功率Max 430W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTA160N10T

型号： IXTA160N10T

制造商： IXYS Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 100V 160A TO-263

替代型号IXTA160N10T