IXFR80N10Q参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXFR80N10Q概述

Trans MOSFET N-CH 100V 76A 3Pin3+Tab ISOPLUS 247

N-Channel 100V 76A Tc 310W Tc Through Hole ISOPLUS247™

得捷:
MOSFET N-CH 100V 76A ISOPLUS247

贸泽:
MOSFET 80 Amps 100V 0.018 Rds

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 76A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247

IXFR80N10Q中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 310 W

漏源极电压Vds 100 V

上升时间 70 ns

输入电容Ciss 4500pF @25VVds

下降时间 30 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 310W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.13 mm

宽度 5.21 mm

高度 21.34 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFR80N10Q

型号： IXFR80N10Q

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans MOSFET N-CH 100V 76A 3Pin3+Tab ISOPLUS 247