IXFH8N80参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXFH8N80概述

Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3Pin3+Tab TO-247AD

N-Channel 800V 8A Tc 180W Tc Through Hole TO-247AD IXFH

得捷:
MOSFET N-CH 800V 8A TO247AD

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin3+Tab TO-247AD

IXFH8N80中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 180W Tc

漏源极电压Vds 800 V

输入电容Ciss 2600pF @25VVds

耗散功率Max 180W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFH8N80

型号： IXFH8N80

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3Pin3+Tab TO-247AD