IXFN70N60Q2参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXFN70N60Q2概述

Trans MOSFET N-CH 600V 70A 4Pin SOT-227B

N-Channel 600V 70A Tc 890W Tc Chassis Mount SOT-227B

得捷:
MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227B

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 70A 4-Pin SOT-227B

Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 70A 4-Pin SOT-227B

IXFN70N60Q2中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 890 W

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 25 ns

输入电容Ciss 7200pF @25VVds

额定功率Max 890 W

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 890W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-227-4

外形尺寸

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFN70N60Q2

型号： IXFN70N60Q2

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans MOSFET N-CH 600V 70A 4Pin SOT-227B

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