IXTA110N055T2参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXTA110N055T2概述

N沟道 55V 110A

N-Channel 55V 110A Tc 180W Tc Surface Mount TO-263 IXTA

立创商城:
N沟道 55V 110A

得捷:
MOSFET N-CH 55V 110A TO263

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin2+Tab D2PAK

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MOSFET N-CH 55V 110A TO-263

Win Source:
MOSFET N-CH 55V 110A TO-263

IXTA110N055T2中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 180W Tc

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 110A

输入电容Ciss 3060pF @25VVds

耗散功率Max 180W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTA110N055T2

型号： IXTA110N055T2

制造商： IXYS Semiconductor

描述：N沟道 55V 110A

替代型号IXTA110N055T2