IXFR24N80P参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXFR24N80P概述

ISOPLUS N-CH 800V 13A

N-Channel 800V 13A Tc 208W Tc Through Hole ISOPLUS247™

得捷:
MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS247

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247

IXFR24N80P中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 208W Tc

漏源极电压Vds 800 V

连续漏极电流Ids 13A

上升时间 27 ns

输入电容Ciss 7200pF @25VVds

下降时间 24 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 208W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFR24N80P

型号： IXFR24N80P

制造商： IXYS Semiconductor

描述：ISOPLUS N-CH 800V 13A