IXTY01N100 编带
N-Channel 1000V 100mA Tc 25W Tc Surface Mount TO-252AA
得捷:
MOSFET N-CH 1000V 100MA TO252AA
立创商城:
N沟道 1kV 100mA
贸泽:
MOSFET 0.1 Amps 1000V 80 Rds
艾睿:
Make an effective common gate amplifier using this IXTY01N100 power MOSFET from Ixys Corporation. Its maximum power dissipation is 25000 mW. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 1KV 0.1A 3-Pin2+Tab TO-252AA
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 1KV 0.1A 3-Pin2+Tab TO-252AA
DeviceMart:
MOSFET N-CH 1000V 100MA DPAK
通道数 1
漏源极电阻 80 Ω
极性 N-CH
耗散功率 25 W
漏源极电压Vds 1000 V
漏源击穿电压 1000 V
连续漏极电流Ids 0.1A
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 54pF @25VVds
额定功率Max 25 W
下降时间 28 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 25W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free