IXTY01N100

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IXTY01N100概述

IXTY01N100 编带

N-Channel 1000V 100mA Tc 25W Tc Surface Mount TO-252AA


得捷:
MOSFET N-CH 1000V 100MA TO252AA


立创商城:
N沟道 1kV 100mA


贸泽:
MOSFET 0.1 Amps 1000V 80 Rds


艾睿:
Make an effective common gate amplifier using this IXTY01N100 power MOSFET from Ixys Corporation. Its maximum power dissipation is 25000 mW. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 1KV 0.1A 3-Pin2+Tab TO-252AA


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 1KV 0.1A 3-Pin2+Tab TO-252AA


DeviceMart:
MOSFET N-CH 1000V 100MA DPAK


IXTY01N100中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 80 Ω

极性 N-CH

耗散功率 25 W

漏源极电压Vds 1000 V

漏源击穿电压 1000 V

连续漏极电流Ids 0.1A

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 54pF @25VVds

额定功率Max 25 W

下降时间 28 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 25W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-252-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTY01N100
型号: IXTY01N100
制造商: IXYS Semiconductor
描述:IXTY01N100 编带

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