IXTY2N60P参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXTY2N60P概述

Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3Pin2+Tab TO-252AA

N-Channel 600V 2A Tc 55W Tc Surface Mount TO-252, D-Pak

得捷:
MOSFET N-CH 600V 2A TO252

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin2+Tab TO-252AA

DeviceMart:
MOSFET N-CH 600V 2A D-PAK

IXTY2N60P中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 2.00 A

耗散功率 55W Tc

输入电容 240 pF

栅电荷 7.00 nC

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 2.00 A

输入电容Ciss 240pF @25VVds

耗散功率Max 55W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTY2N60P

型号： IXTY2N60P

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3Pin2+Tab TO-252AA