IXFX30N50Q参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXFX30N50Q概述

Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3Pin3+Tab PLUS 247

N-Channel 500V 30A Tc 416W Tc Through Hole PLUS247™-3

得捷:
MOSFET N-CH 500V 30A PLUS247-3

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3-Pin3+Tab PLUS 247

IXFX30N50Q中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 416W Tc

漏源极电压Vds 500 V

输入电容Ciss 3950pF @25VVds

耗散功率Max 416W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFX30N50Q

型号： IXFX30N50Q

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3Pin3+Tab PLUS 247

替代型号IXFX30N50Q