IXFT69N30P

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IXFT69N30P概述

Trans MOSFET N-CH 300V 69A 3Pin2+Tab TO-268

表面贴装型 N 通道 300 V 69A(Tc) 500W(Tc) TO-268AA


得捷:
MOSFET N-CH 300V 69A TO268


贸泽:
MOSFET 69 Amps 300V 0.049 Rds


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 300V 69A 3-Pin2+Tab TO-268


IXFT69N30P中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 49 mΩ

耗散功率 500 W

漏源极电压Vds 300 V

漏源击穿电压 300 V

上升时间 25 ns

输入电容Ciss 4960pF @25VVds

额定功率Max 500 W

下降时间 27 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 500W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-268-3

外形尺寸

封装 TO-268-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFT69N30P
型号: IXFT69N30P
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans MOSFET N-CH 300V 69A 3Pin2+Tab TO-268
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