IXTQ200N06P

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IXTQ200N06P概述

Trans MOSFET N-CH 60V 200A 3Pin3+Tab TO-3P

N-Channel 60V 200A Tc 714W Tc Through Hole TO-3P


得捷:
MOSFET N-CH 60V 200A TO3P


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 200A 3-Pin3+Tab TO-3P


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 200A TO-3P


IXTQ200N06P中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 714W Tc

漏源极电压Vds 60 V

输入电容Ciss 5400pF @25VVds

耗散功率Max 714W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTQ200N06P
型号: IXTQ200N06P
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans MOSFET N-CH 60V 200A 3Pin3+Tab TO-3P

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