IXTP3N50D2参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXTP3N50D2概述

N沟道 500V 3A

N-Channel 500V 3A Tc 125W Tc Through Hole TO-220AB

立创商城:
N沟道 500V 3A

得捷:
MOSFET N-CH 500V 3A TO220AB

Win Source:
MOSFET N-CH 500V 3A TO220AB

IXTP3N50D2中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 125W Tc

漏源极电压Vds 500 V

输入电容Ciss 1070pF @25VVds

耗散功率Max 125W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTP3N50D2

型号： IXTP3N50D2

制造商： IXYS Semiconductor

描述：N沟道 500V 3A