IXTP06N120P

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IXTP06N120P概述

Trans MOSFET N-CH 1.2kV 0.6A 3Pin3+Tab TO-220AB

通孔 N 通道 1200 V 600mA(Tc) 42W(Tc) TO-220-3


得捷:
MOSFET N-CH 1200V 600MA TO220AB


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.6A 3-Pin3+Tab TO-220AB


IXTP06N120P中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

耗散功率 42W Tc

漏源极电压Vds 1200 V

输入电容Ciss 270pF @25VVds

额定功率Max 42 W

耗散功率Max 42W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

宽度 4.82 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTP06N120P
型号: IXTP06N120P
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans MOSFET N-CH 1.2kV 0.6A 3Pin3+Tab TO-220AB
替代型号IXTP06N120P
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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IXYS Semiconductor

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