D2PAK N-CH 1100V 3A
表面贴装型 N 通道 3A（Tc） 150W（Tc） TO-263（IXTA）
得捷:
MOSFET N-CH 1100V 3A TO263
贸泽:
MOSFET 3 Amps 1100V 4 Rds
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1.1KV 3A 3-Pin2+Tab D2PAK
通道数 1
漏源极电阻 4 Ω
极性 N-CH
耗散功率 150 W
漏源极电压Vds 1100 V
漏源击穿电压 1100 V
连续漏极电流Ids 3A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 1350pF @25VVds
下降时间 18 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 150W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
长度 9.9 mm
宽度 9.2 mm
高度 4.5 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IXTA3N110 IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
IXTA3N120 IXYS Semiconductor | 类似代替 | IXTA3N110和IXTA3N120的区别 |