IXTH50P10

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IXTH50P10概述

P沟道 100V 50A

通孔 P 通道 100 V 50A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)


得捷:
MOSFET P-CH 100V 50A TO247


立创商城:
P沟道 100V 50A


艾睿:
Trans MOSFET P-CH Si 100V 50A 3-Pin3+Tab TO-247AD


Verical:
Trans MOSFET P-CH Si 100V 50A 3-Pin3+Tab TO-247AD


DeviceMart:
MOSFET P-CH 100V 50A TO-247AD


IXTH50P10中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 300 W

阈值电压 5 V

漏源极电压Vds 100 V

输入电容Ciss 4350pF @25VVds

额定功率Max 300 W

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

香港进出口证 NLR

数据手册

在线购买IXTH50P10
型号: IXTH50P10
制造商: IXYS Semiconductor
描述:P沟道 100V 50A

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