N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 HiPerFET™### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列
IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 HiPerFET™
欧时:
IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFN82N60P, 72 A, Vds=600 V, 4引脚 SOT-227B封装
得捷:
MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B
立创商城:
N沟道 600V 72A
艾睿:
Use Ixys Corporation&s;s IXFN82N60P power MOSFET to switch quickly between different electronic signals with ease. Its maximum power dissipation is 1040000 mW. This device is made with hiperfet technology. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 72A 4-Pin SOT-227B
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 72A 4-Pin SOT-227B
Newark:
# IXYS SEMICONDUCTOR IXFN82N60P Bipolar BJT Single Transistor, N Channel, 72 A, 600 V, 0.075 ohm, 10 V, 5 V
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B
通道数 1
漏源极电阻 0.075 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.04 kW
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 82.0 A
上升时间 23 ns
输入电容Ciss 23000pF @25VVds
下降时间 24 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1040W Tc
安装方式 Panel
引脚数 4
封装 SOT-227-4
长度 38.2 mm
宽度 25.07 mm
高度 9.6 mm
封装 SOT-227-4
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15